基礎・用語
SRAMはなぜ速く、DRAMはなぜ大容量なのか――6Tセルと1T1Cセルの交換条件
SRAMは双安定回路で状態を保ち、DRAMはキャパシタの電荷を読み直す。セル構造から速度・面積・リフレッシュ・用途の違いを整理する。
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速報の量ではなく、あとから読み返せる技術的な意味と産業的な文脈を蓄積します。
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5 ARTICLES基礎・用語
FD-SOIは絶縁膜の下からどう制御する？――バックバイアスとしきい値の関係
BOXは電流を隔てても、電界の影響まで消すわけではない。FD-SOIの薄膜とバックゲートから、速度・漏れ電流の選択、電源電圧制御との違いを読む。
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HBMはなぜ速いのか――クロック周波数より「道幅」で考える
HBMの帯域幅を、1本当たりの転送速度ではなく、広いI/O、TSV、インターポーザー、並列チャネルの組み合わせから読み解く。
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チップレットとは何か――「一枚の大きなチップ」を分けてつなぐ理由
機能を複数のダイに分けてパッケージ内で接続するチップレット。再利用と異種プロセスの利点、接続・熱・電力の設計課題を整理する。
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IGBT・SiC・GaN、結局どこで使い分ける？
電圧、周波数、効率、コストの4軸で主要パワーデバイスの適材適所を比較。
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